12.03.20210-
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего техпроцесса. Читайте также:
- Sony показала контроллеры следующего PlayStation VR для PS5, 18.03.2021 rjevka.com
- Food News: Авокадо оказался полезен в лечении диабета второго типа, 18.03.2021 rjevka.com
- Авокадо оказался полезен в лечении диабета второго типа, 18.03.2021 rjevka.com
Лучший район Санкт-Петербурга!

Комментарии